弯道超车？三星3nm制程有可能先于台积电投产

据台湾《经济日报》5月2日援引外媒报道，三星在向投资者发布的最新简报中透露，其3nm制程将在未来几周内投产，进度快于TSMC，试图弯道超车，正式引爆TSMC与三星今年最先进制程的激烈竞争。

TSMC从未评论过竞争对手。TSMC早些时候在法国会议上指出，FinFET架构的3nm将按照原计划在下半年量产，并将是“下一个大的增长节点”。

业内分析，虽然三星宣称3nm已经进入量产倒计时，但是从晶体管密度和效率等方面来看，三星的3nm堪比TSMC 5nm家族的4nm和英特尔的Intel 4工艺。

台媒《经济日报》分析称，三星将“3nm”命名为最新工艺进展，表面上赢了面子，但在晶体管密度和效率上仍落后于TSMC，“实际上输了里子”。

TechSpot等外媒报道称，三星向投资者介绍，正在全力使GAA架构的3nm工艺在今年上半年进入生产阶段，即在未来八周内启动量产进程，这意味着3nm量产的倒计时。

三星表示，与目前的7nm FinFET架构工艺相比，新的3nm工艺生产的芯片可以在0.75伏以下的低电压环境中工作，整体功耗降低50%，效率提高30%，芯片体积减小45%。

分析师指出，三星的3nm工艺所能达到的晶体管密度最终可能相当于英特尔的process 4或TSMC的nm家族中的4nm，但带宽和泄漏控制性能会更好，从而带来更好的性能。

但目前我们无法知道的最大变量是三星的3nm工艺良率能有多好。三星之前完全开发出来的4nm工艺，良品率太低，导致大客户转投TSMC。业内称，目前三星的3nm良率只有10%左右，但并未得到三星方面的证实。

另一方面，三星没有透露使用其3nm工艺的客户。相比之下，TSMC总裁魏哲佳此前在法国会议上透露，其3nm应用有许多客户参与，预计第一年将有更多新产品设计比5nm和7nm更快敲定。

业内人士认为，苹果、AMD、英伟达、高通、英特尔、联发科等大厂在3nm量产初期将是TSMC的主要客户，其应用覆盖高速计算、智能手机等领域。TSMC强调，今年下半年3nm量产后，将在PPA和晶体管技术上领先，并有不错的良品率。它有信心3nm将继续赢得客户的信任。

此外，TSMC也开始进行更先进的2nm布局。预计2024年进行风险试生产，目标是2025年量产。乐观来看，2nm将是业界最先进的技术，也是最适合支持客户增长的技术。

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